英特尔3D封装技术Foveros实现大规模生产，助力芯片性能飞跃
1月25日消息，英特尔今日发布重要公告，称其已成功实施大规模生产，该生产基于行业前沿的半导体封装方案，其中尤为引人注目的是英特尔创新的3D封装技术——Foveros。
据公告披露，这项技术是在英特尔位于美国新墨西哥州的Fab 9工厂最新升级后投入生产的。英特尔执行副总裁兼首席全球运营官Keyvan Esfarjani在声明中强调：“我们的先进封装技术为英特尔在竞争中赢得了优势，助力我们的客户在芯片性能、尺寸及设计灵活性上取得领先。”
据本站了解，随着半导体产业迈向在单一封装内集成多个“芯粒”(Chiplets)的异构集成新时代，英特尔的Foveros技术和EMIB(嵌入式多芯片互连桥接)等先进封装技术，被业界认为有望在单一封装中集成高达一万亿个晶体管，这将对2030年后的摩尔定律发展产生深远影响。
英特尔的3D封装技术Foveros的特点在于，它能在处理器制造过程中以垂直方式堆叠计算模块，而非传统的水平方式。此外，Foveros技术使得英特尔及其代工合作伙伴能够灵活地集成不同的计算芯片，从而在成本和能效方面实现优化。
此前，英特尔已明确表示，他们计划在2025年之前将3D Foveros封装的产能提升四倍，以满足日益增长的市场需求。
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