英特尔3D封装技术Foveros实现大规模生产,助力芯片性能飞跃

时间:2024-01-25 17:35:56

作者:admin

来源:系统大师

  1月25日消息,英特尔今日发布重要公告,称其已成功实施大规模生产,该生产基于行业前沿的半导体封装方案,其中尤为引人注目的是英特尔创新的3D封装技术——Foveros。

  英特尔3D封装技术Foveros实现大规模生产,助力芯片性能飞跃

  据公告披露,这项技术是在英特尔位于美国新墨西哥州的Fab 9工厂最新升级后投入生产的。英特尔执行副总裁兼首席全球运营官Keyvan Esfarjani在声明中强调:“我们的先进封装技术为英特尔在竞争中赢得了优势,助力我们的客户在芯片性能、尺寸及设计灵活性上取得领先。”

  据本站了解,随着半导体产业迈向在单一封装内集成多个“芯粒”(Chiplets)的异构集成新时代,英特尔的Foveros技术和EMIB(嵌入式多芯片互连桥接)等先进封装技术,被业界认为有望在单一封装中集成高达一万亿个晶体管,这将对2030年后的摩尔定律发展产生深远影响。

  英特尔3D封装技术Foveros实现大规模生产,助力芯片性能飞跃

  英特尔的3D封装技术Foveros的特点在于,它能在处理器制造过程中以垂直方式堆叠计算模块,而非传统的水平方式。此外,Foveros技术使得英特尔及其代工合作伙伴能够灵活地集成不同的计算芯片,从而在成本和能效方面实现优化。

  此前,英特尔已明确表示,他们计划在2025年之前将3D Foveros封装的产能提升四倍,以满足日益增长的市场需求。

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