英特尔CEO:中国半导体发展或落后十年

时间:2024-01-20 09:25:15

作者:admin

来源:系统大师

  本站1月20日消息,据国外媒体报道称,Intel CEO帕特-盖尔辛格在达沃斯世界经济论坛上发言时断言,由于美国对关键芯片制造部件的制裁,中国的半导体发展将比领先国家落后十年。

  盖尔辛格解释说,中国现有的工具目前只能生产14nm和7nm芯片,而美国并没有单独阻止中国,而是联合了盟友日本和荷兰的合作。

  英特尔CEO:中国半导体发展或落后十年

  相比之下,台积电、三星和英特尔等公司正在准备在未来几年内采用更先进的工艺生产3nm、2nm甚至更精密的半导体。预计台积电的2nm芯片将应用于2025年上市的iPhone 17。按照盖尔辛格的说法,数十年来的产业政策使芯片制造业集中在亚洲国家,而美国目前正试图通过《芯片法案》扭转这一趋势。这项立法旨在提高美国的技术自给自足能力。美国认为可以在十年内开始生产和封装最先进的半导体。相比之下,NVIDIA的首席执行官认为这一目标可能需要10年或20年的时间。

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