三星电子与SK海力士联手打造12层HBM内存，引领科技创新
【本站】9月12日消息，三星电子和SK海力士两大韩国科技巨头正在积极加速推动12层HBM内存的生产，这一进展预计将进一步满足生成式人工智能(AI)和高性能计算的需求。HBM内存技术的不断发展，将为未来的计算和数据处理提供更强大的支持。
HBM内存是一种高性能的存储器，其特点是多层次的设计，可显著提高数据传输速度和存储容量。目前，主流HBM内存通常由8层构成，但据悉，即将开始量产的下一代HBM内存将拥有高达12层的设计，这将进一步提升其性能水平。
据本站了解，HBM内存的封装工艺一直是关键挑战之一。传统的封装工艺通常采用热压粘合(TCB)和批量回流焊(MR)技术，但这些方法在处理高层数HBM内存时会面临发热和封装高度等问题。不过，三星电子和SK海力士目前正在积极推进一种名为混合键合(Hybrid Bonding)的封装工艺，这一技术突破了传统工艺的限制。
Hybrid Bonding的关键特点在于，除了在室温下凹陷的铜bump完成键合外，两个芯片之间的非导电部分也会进行粘合，因此，在芯片与芯片或晶圆与晶圆之间不存在空隙，无需使用环氧树脂进行填充。这一技术的应用显著提高了输入/输出(IO)吞吐量，允许在1平方毫米的面积内连接1万到10万个通孔(via)。
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