最近几年，电子产品的价格走势不断降低，大家也觉得日后的电子产品会越来越便宜，但事实是从去年开始，手机、电脑、家电等产品价格一直在持续涨价，而这其中的主要原因就是内存和闪存芯片涨价。

之前宏旺半导体说过，半导体存储器，主要分为DRAM、NAND Flash 和 NOR Flash 三大类。其中 DRAM 就是我们熟知的内存，用在电脑和手机、平板，全球市场规模约 420 亿美元，目前被韩国三星、海力士和美国美光三家垄断，占据 90%以上的份额。

什么是 DRAM？从技术层面来说，DRAM (Dynamic RAM)即动态 RAM，是 RAM 家族中最大的成员，通常所讲的 RAM 即指 DRAM. DRAM 由晶体管和小容 f 电容存储单元组成。每个存储单元都有一小的蚀刻晶体管，这个晶体管通过小电容的电荷保持存储状态，即开和关。电容类似于小充电电池。它可以用电压充电以代表 1，放电后代表 0，但是被充电的电容会因放电而丢掉电荷，所以它们必须由一新电荷持续地“刷新气。

下图所示的是标准的 DRAM 结构的框架图，和 SRAM 不同的是，标准 DRAM 的地址线分成两组以减少输入地址引脚的数量，提高封装的效率。虽然在标准的 DRAM 结构中，输入地址引脚的数量可以通过安排多元的地址方式来减少，但是这样的话，标准 DRAM 存储单元的时钟控制就会变得更加复杂，同时运行速度会受到影响。为了满足对于高速 DRAM 应用的需求，一般都用分开的地址输入引脚来减少时钟控制的复杂性和提高运行速度。

由于国际垄断，如今，国家也意识到 DRAM 和闪存芯片玩的就是资金，所以投入了巨资进入存储芯片产业。 越来越多的国内存储品牌开始崛起，为存储芯片国产化发力。以宏旺半导体为例，总部和研发实验室位于深圳，IC 设计中心、封测中心位于台湾，物流仓库中心位于香港，并且有着完善的研发中心和产品矩阵。

DDR 作为应用最广泛的动态随机存取存储器，被应用于路由器、光猫等设备中，DDR 允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准 SDRAM 的两倍。以宏旺半导体推出的高品质 DDR4 为例，容量为 256Mb*16/512Mb*16/1Gb*16，封装尺寸为 BGA 96Ball 8*14mm/7.5*13.5mm/9*14mm，工作温度 0°C~85°C，并具有 2666 Mbps 的工作频率，能够以出色的速度传输数据，可以快速、轻松地处理大量工作负载。

此外，宏旺半导体的存储产品还包括 MCP/D FLASH/SSD/内存条/TF 卡等，每一款产品均经过严苛的高低温老化磨损、擦写寿命、全套可靠性等品质测试。凭借高兼容性、高集成、大容量等特点，目前已在全球范围为创维、中兴、TCL 等多家客户服务。

相比于国外厂家，国产存储芯片有着较为完善的售前售后保障。宏旺半导体配备了专业的 FAE 团队进行专业的一对一技术支持，能够随时跟进客户项目，解决问题及时有效，这些服务优势是国外厂商无法比拟的。